我國(guó)近年來(lái)集成電路產(chǎn)業(yè)呈延續(xù)高速增長(zhǎng)的勢(shì)頭，進(jìn)而推動(dòng)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐持續(xù)加快，尤其在技術(shù)創(chuàng)新方面其尖端公司所研發(fā)的產(chǎn)品良率達(dá)到98%，而快速溫變?cè)囼?yàn)箱在其研發(fā)試驗(yàn)階段功不可沒(méi)。

半導(dǎo)體發(fā)展痛點(diǎn)

由于我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短板明細(xì)，多種關(guān)鍵原材料和設(shè)備是受到日本制約嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口，而隨著5G的全面發(fā)展，上游原材料和關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域占位確實(shí)將成為一個(gè)巨大隱患。作為高新技術(shù)設(shè)備行業(yè)，快速溫變?cè)囼?yàn)箱可為半導(dǎo)體企業(yè)加快高端產(chǎn)品研發(fā)階段盡一份綿薄之力。

半導(dǎo)體溫度測(cè)試要求

1. 半導(dǎo)體試驗(yàn)樣品與空氣溫度之差越小越好。

2. 溫度循環(huán)升降溫都必須過(guò)溫也就是超過(guò)設(shè)定值范圍，但是不能超上限。

3. 試驗(yàn)樣品表面需要在最短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)入浸泡時(shí)間，尤其需要注意浸泡時(shí)間和駐留時(shí)間是不同的。

快速溫變?cè)囼?yàn)箱助力測(cè)試亮點(diǎn)

• 可設(shè)定空氣溫度或待測(cè)品表面溫度控制的升降溫模式，符合不同規(guī)范要求。

• 可選擇等均溫或平均溫的升降溫變速率，符合不同規(guī)范要求。

• 可設(shè)定升降溫的過(guò)溫偏差，符合不同規(guī)范要求。

• 可分開(kāi)設(shè)定升降溫的溫變率偏差。

• 溫度循環(huán)或溫度沖擊均可選擇表溫控制。

AFH-系列

• 溫度范圍：-20℃/-40℃/-70℃~+150℃

• 快速溫變范圍：-20℃/-40℃/-55℃~+85℃

• 濕度范圍：20%~98%RH

• 滿(mǎn)足5℃/min、10℃/min、15℃/min、25℃/min的升降溫要求

• 裝配八大安全防護(hù)裝置

• 可根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求進(jìn)行定制服務(wù)

由于全球經(jīng)貿(mào)摩擦加劇，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展也有一定的波及，而快速溫變?cè)囼?yàn)箱可助力企業(yè)突破創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，為實(shí)現(xiàn)腳踏實(shí)地穩(wěn)打穩(wěn)扎打破技術(shù)壁壘和持續(xù)提高整體水平助力。

星拓作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，在環(huán)試設(shè)備行業(yè)技術(shù)沉淀20+年，國(guó)內(nèi)外2600+長(zhǎng)期合作客戶(hù)，長(zhǎng)期從事低溫試驗(yàn)箱，高溫試驗(yàn)箱，恒溫恒濕試驗(yàn)箱，高低溫試驗(yàn)箱，冷熱沖擊試驗(yàn)箱，快速溫變?cè)囼?yàn)箱，低氣壓試驗(yàn)箱，振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)，高低溫振動(dòng)三綜合試驗(yàn)箱，鹽霧試驗(yàn)箱，沙塵試驗(yàn)箱，IP防水試驗(yàn)箱，機(jī)械沖擊試驗(yàn)臺(tái)，碰撞試驗(yàn)臺(tái)，跌落試驗(yàn)機(jī)，老化試驗(yàn)箱等可靠性測(cè)試設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。若有任何快速溫變?cè)囼?yàn)箱等的相關(guān)需求，可隨時(shí)聯(lián)系廣東星拓環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備廠家進(jìn)行咨詢(xún)，星拓工程團(tuán)隊(duì)為您提供安全、可靠和易于操作的測(cè)試設(shè)備技術(shù)方案，助力驗(yàn)證產(chǎn)品品質(zhì)提升。